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YM4271感受態(tài)細胞

YM4271感受態(tài)細胞

簡(jiǎn)要描述:YM4271感受態(tài)細胞
YM4271菌株,MATa型,可直接轉化質(zhì)?;蚺cMATα型酵母菌株EGY48、Y187等通過(guò)mating操作進(jìn)行蛋白互作驗證或篩庫試驗。Transformation marker為:trp1,leu2,ura,報告基因為: HIS3??捎糜诮湍鸽p雜,酵母單雜或異源蛋白表達等試驗。

更新時(shí)間:2022-01-20

廠(chǎng)商性質(zhì):生產(chǎn)廠(chǎng)家

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詳情介紹
品牌其他品牌貨號BFNC86065
規格10x100ul/50x100ul供貨周期現貨
主要用途僅用于科研應用領(lǐng)域醫療衛生,生物產(chǎn)業(yè)

YM4271感受態(tài)細胞


產(chǎn)品規格CAT#: BFNC86065-01(10×100ul)/BFNC86065-02(50×100ul)

YM4271 Competent Cell:                                        100μl/支            保存: -80℃(3個(gè)月)

pGADT7 (control vector, 10 ng/μl)                           10μl               保存:-80℃(12個(gè)月)

Carrier DNA (10 μg/μl)                                             100μl              保存:-20℃(12個(gè)月)

PEG/LiAC:                                                                    5ml              保存:    4℃(12個(gè)月)


基因型

MATa, ura3–52, his3-Δ200, ade2–101, ade5, lys2–801, leu2–3,112, trp1–901, tyr1–501, gal4Δ, gal80Δ, ade5::hisG



YM4271感受態(tài)細胞


產(chǎn)品說(shuō)明

YM4271菌株,MATa型,可直接轉化質(zhì)?;蚺cMATα型酵母菌株EGY48、Y187等通過(guò)mating操作進(jìn)行蛋白互作驗證或篩庫試驗。Transformation marker為:trp1,leu2,ura,報告基因為: HIS3??捎糜诮湍鸽p雜,酵母單雜或異源蛋白表達等試驗。

青旗生物的YM4271感受態(tài)細胞經(jīng)特殊工藝制作,-80℃可保存三個(gè)月,pGADT7質(zhì)粒檢測轉化效率>104 cfu/μg DNA。






操作方法

1. 取100 µl冰上融化的YM4271感受態(tài)細胞,依次加入預冷的目的質(zhì)粒2-5 µg,Carrier DNA (95-100℃,5 min,快速冰浴,重復一次) 10 µl,PEG/LiAc 500 µl并吸打幾次混勻,30℃水浴30 min (15 min時(shí)翻轉6-8次混勻)。

2. 將管放42℃水浴15 min (7.5 min時(shí)翻轉6-8次混勻)。

3. 5000 rpm離心 40 s棄上清,ddH2O 400 µl 重懸,離心 30s棄上清。

4. ddH2O 50 µl重懸,涂板,29℃培養48-96 h。




注意事項

1. 感受態(tài)細胞盡量在冰上融化。

2. 轉化高濃度的質(zhì)??上鄳獪p少終用于涂板的菌量。

3. 同時(shí)轉化2-3種質(zhì)粒時(shí)可增加質(zhì)粒的用量。

4. YM4271酵母菌株對高溫敏感,適生長(cháng)溫度為27-30℃;高于31℃,生長(cháng)速度和轉化效率呈指數下降。

5. 菌落變粉不是污染,是酵母細胞生長(cháng)中一個(gè)常見(jiàn)現象。當細胞在平板培養幾天后,平板上的Adenine被酵母消耗完畢,酵母試圖通過(guò)自身代謝途徑合成Adenine以供利用,然而,有些菌株的ADE2基因被破壞,Adenine合成途徑受阻;又由于其ADE4,5,6,7,8基因均正常,所以造成中間產(chǎn)物P-ribosylamino imidazole (AIR) 在細胞中積累而使菌落變?yōu)榉奂t色。

6. 酵母在缺陷培養基中生長(cháng)速度比YPDA培養基慢,培養基中缺陷成分越多,生長(cháng)越慢,以轉化涂板為例:涂YPDA平板29℃,48 h培養可見(jiàn)直徑1 mm克??;涂SD單缺平板29℃,48-60 h培養可見(jiàn)直徑1 mm克隆,涂SD雙缺平板29℃,60-80 h培養可見(jiàn)直徑1 mm克隆,涂SD三缺或四缺平板平板29℃,80-90h培養可見(jiàn)直徑1 mm克隆。




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